산업통상부

삼성전자.하이닉스 차세대메모리 원천기술 확보에 ‘올인’

삼성전자․하이닉스 차세대메모리 원천기술 확보에 ‘올인’

- ‘차세대메모리’ 특허 이전 및 공동R&D 협약식 개최 -

삼성전자․하이닉스는 ①비휘발성메모리 분야 정부R&D 성과 중 8건의 원천특허 구매, ②차세대 메모리반도체(STT- MRAM 등) R&D 공동 참여에 합의

□ 중장기적인 세계 1위 메모리 반도체 국가경쟁력 유지를 위한 정부와 업계의 공동 노력이 가속화되고 있음

ㅇ 삼성전자와 하이닉스반도체는 향후 지속적인 메모리강국의 위상을 유지하기 위해서는 D램, 플래시메모리 이후의 차세대 메모리분야 원천기술 확보가 시급하다는 데 공감하고,

ㅇ 그간 비휘발성메모리 분야 정부 R&D사업에서 발생한 특허 8건을 구매함과 동시에 차세대 메모리소자 개발을 위한 공동 R&D를 적극 추진하기로 하였음

□ 지난 1993년 이후 우리나라는 세계최고의 공정기술을 바탕으로 메모리 세계1위를 차지하고 있으나, 핵심 소자구조 등 원천기술은 여전히 해외에 의존하고 있는 실정이며,

* 국내업체는 인텔(D램), 도시바(낸드플래시)에 매년 수억불의 특허사용료 지불

* 붙임 : 보도자료 전문

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