산업통상부

         나노급 반도체용 EUVL(극자외선노광장비) 핵심기술개발 착수

□ 산업자원부는 금년부터 대표적인 차세대반도체기술인 극자외선(EUV) 장비의 핵심기술 확보에 나설 예정이다.

  ㅇ 반도체 회로선폭의 미세화가 나노수준으로 진전됨에 따라 65나노미터 이하 工程에서는 기존 露光장비에서 사용되던 원자외선 기술로는 한계에 직면

       * (''02) 130nm → (''04) 90nm → (''10) 50nm

   - 露光공정은 빛에 민감한 감광액을 바른 웨이퍼에 빛을 비춰 회로를 형성시키는 핵심기술(일종의 사진기 역할)로서 총 工程비용의 35% 이상, 총 공정시간의 60%를 점유

  ㅇ 이를 대체하기 위한 기술로서 보다 정밀한 工程이 가능한 극자외선(EUV : Extreme Ultra Violet)기술이 우위를 보임에 따라 차세대 기술개발과제로 부상

   - EUV는 경쟁기술인 EPL(E-beam Projection Lithography)에 비해 생산성, 경제성, 확장성, 기계적 특성에서 유리

   - 미국 인텔과 일본의 캐논은 EUV 기술개발을 주도하며 상용화를 적극 추진 중

*첨부: 보도자료 전문