- 담당자김봉석
- 담당부서반도체디스플레이과
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- 등록일2016-12-09
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1125 (26일석간) 반도체디스플레이과 차세대 메모리 개발 글로벌 전진기지 구축.hwp [658.5 KB]
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차세대 메모리 개발 글로벌 전진기지 구축
- 한양대「차세대메모리 産.學.硏 공동연구센터 개소식」개최- |
□ 글로벌 경제위기를 거치면서 세계 메모리 업계를 재편한 우리 반도체 산업이 차세대 메모리시장 선점을 위하여 업계․학계가 공동연구에 본격적으로 돌입함
ㅇ 한양대학교(김종량 총장)는 11.26일(10:00～12:00) 임채민 지식경제부차관, 이병석 의원(민주당), 박영아 의원(한나라당), 권오현 삼성전자 사장, 김종갑 하이닉스 사장 등을 비롯한HT: 160%; FONT-FAMILY: 휴먼명조,한컴돋움; LETTER-SPACING: -2pt; FONT-SIZE: 15pt">150여명을 초청하여 ｢차세대메모리 산학연 공동연구센터｣ 개소식을 가짐
□ ｢차세대메모리 산학연 공동연구센터｣는 반도체분야 최초의 국내 大-大 R&D 상생협력 사업으로 금년 3월부터 지식경제부, 삼성전자, 하이닉스가 공동출연 구축하였으며, 차세대메모리 주력제품으로 유력한 STT-MRAM에 대한 연구개발을 착수하게 됨
* STT-MRAM(Spin Transfer Torque - Magnetic Random Access Memory) : 자성 재료의 전자의 자화 방향 변화를 통한 전기적 저항 차이가 발생되는 현상을 정보 저장에 이용한 메모리
ㅇ 특히 동 센터는 국내 최초, 세계에서 두 번째*로 대학에 300mm(12인치) 반도체 장비가 구축되고, 세계 1, 2위 메모리기업(삼성전자, 하이닉스) 전문연구인력이 상주하여 공동 연구개발한다는 점에서 의미가 큼
* 차세대메모리개발 300mm 반도체장비구축은 뉴욕 알바니대학이 세계 최초임
* 붙임 : 보도자료 전문