산업통상부

국내 연구팀,「차세대 메모리(ReRAM)」원천기술 세계최초 개발 성공

- 국제기술로드맵(ITRS)계획(2012년)보다실용화2-3년앞당겨 - 세계최고 권위 학회(IEDM)통해논문발표(12. 7, 워싱턴 DC) -

- 국내 특허 2건 출원, 국제특허 출원 준비 중 -

□ 산업자원부 차세대 비휘발성 메모리사업단(단장 : 한양대 박재근 교수)은, 현재까지 플래시메모리의 단점으로 알려진 ①정보의 쓰기․지우기 시간이 느린 점, ②저장용량 32Gb급 이상의 제품생산은 기술적 문제에 부딪쳐 불투명한 점 등의 문제들을 극복할 수 있는 저항변화 메모리(ReRAM : Resistance Random Access Memory) 소자의 핵심 원천기술을 국내 연구팀(팀장 : 황현상 광주 과학기술원 교수)이 세계 최초로 개발에 성공하였다고 밝혔다.

   * 차세대 비휘발성 메모리사업단 개요 별첨1 참고

ㅇ 금번에 성공한 기술개발의 주요 내용은, 데이터를 저장할 수 있는 메모리 특성 즉, ‘0(off)’과 ‘1(on)’ 상태를 번갈아 동작시킬 수 있는 핵심물질(단결정 스트론튬타이타늄옥사이드(SrTiO3)) 개발과 동 물질의 고유특성이 유지되도록 하는 표면처리공정 개발로 알려졌다.

ㅇ 연구팀에 따르면 동 물질과 공정을 통해 제작된 단위 소자(Cell)의 주요 특성은, 데이터의 저장상태가 10년 이상 유지되고, 천만번(10⁷) 이상의 정보 쓰기․지우기 동작이 가능한 것으로 확인되어, 실용화의 가능성이 매우 높은 것으로 보임(*플래시메모리 : 정보저장10년, 쓰기․지우기 동작 십만번(10⁵) )

* 붙임 : 보도자료 전문