산업통상부

반도체 1위 명성, 차세대 메모리로 ‘쭈욱~’ 2009-11-26 오후 04:00 ‘차세대 메모리 공동연구센터’ 개소…STT-MRAM 연구개발 착수 차세대 메모리반도체 개발을 위한 연구가 본격화됐다. 지식경제부는 26일 삼성전자, 하이닉스와 공동으로 한양대학교 퓨전기술센터 내에 ‘차세대 메모리 산학연 공동연구센터’를 개소하고 차세대 메모리반도체 주력제품으로 유력한 STT-MRAM의 연구개발에 착수키로 했다. 26일 한양대에서 열린 `차세대메모리 산학연 공동연구센터` 개소식 장면. STT-MRAM은 낸드플래시의 저장능력과 D램의 빠른 처리속도를 갖춘 차세대 메모리로 오는 2015년 이후 시장에 등장할 것으로 전망된다. 이날 문을 연 차세대 메모리 산학연 공동연구센터에는 국내 최초로 대학에 300mm(12인치) 반도체 장비가 구축되고, 세계 1, 2위 메모리기업인 삼성전자와 하이닉스의 전문 인력이 상주하면서 공동 연구개발하게 된다. 이웃나라 일본에서는 차세대 메모리 시장 선점을 위해 이미 국책사업 등을 통해 STT-MRAM 개발을 진행하고 있다. 오는 2015년 STT-MRAM 시장은 530억 달러에 이를 것으로 전망되며 우리나라는 이 가운데 45%를 차지한다는 목표를 세워놓고 있다. 한편 우리의 반도체 산업은 지난 1993년 이후 세계 메모리 시장에서 1위를 자치하고 있으나 핵심 소자구조 등 원천기술은 해외에 의존하고 있어 차세대 메모리반도체 기술개발이 시급한 실정이다.